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单晶材料晶体生长是发生在什么情况

单晶材料晶体生长是发生在什么情况

发布日期:2018-06-07 00:00 来源: 点击:

  晶体生长是发生在固-液界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态,绝大部分熔体处于过热态。已生长出的晶体温度又需低于Te。就是说整个体系由熔体到晶体的温度由过热向过冷变化。过热与过冷区的界面为等温区。此面与晶体生长界面间的熔体为过冷熔体。且过冷度沿晶体生长反方向逐渐增大。晶体的温度低。这种由晶体到熔体方向存在的温度梯度是热量输运的须要条件。热量由熔体经生长面传向晶体,并由其转出。

  单晶材料是一种宽禁带直接带隙半导体ZnO晶体为纤锌矿结构室温下禁带宽度为3.37eV激子束缚能为60meV远大于室温热离化能26meV。ZnO具有良好的光学性能成为了研究光电器件的热点材料例如气体传感器压电传感器透明电极短波长激光器件紫外发光二极管、透明三极管等。

  单晶材料和坩埚的提升采用双电机结构,保证稳定的低生长速度以及坩埚和籽晶的快速定位。 采用无振动的高性能马达和低噪声的减速器驱动晶体和坩埚上升,可提供稳定的低生长速度。设备的真空条件和在真空下的可控惰性气体气流使得热区清洗佳化。氧化硅可以在不污染晶体和晶体驱动装置的条件下排除。

  单晶电池和多晶电池的初始原材料都是原生多晶硅,类似于微晶状态存在。要具备发电能力,就须将微晶状态的硅制成晶体硅,而晶体硅的晶向需要确定控制。单晶电池和多晶电池在制程上无法轻易互换的就是晶体生长环节。


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